电磁兼容培训胶片(屏蔽).ppt
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1、杨继深 2002年4月第三章 电磁屏蔽技术 屏蔽材料的选择 实际屏蔽体的设计杨继深 2002年4月电磁屏蔽屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 杨继深 2002年4月实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE R1 R2 AB R ABB杨继深 2002年4月波阻抗的概念波阻抗电场为主电场为主 E 1/ r3 H 1 / r2磁场为主磁场为主 H 1/ r3 E 1/ r2平面波平面波 E 1/ r H 1/ r377/ 2到观测点距离 rE/H杨继深 2002年
2、4月吸收损耗的计算t入射电磁波E0剩余电磁波E1E1 = E0e-t/ A 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ) dB0.37E0 A 8.69 ( t / ) dBA = 3.34 t f rr dB杨继深 2002年4月趋肤深度举例杨继深 2002年4月反射损耗 R 20 lgZW4 Zs反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。越大。ZS = 3.68 10-7 f r/r远场:377近场:取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变杨继深 2002年4月不同电磁波的反射损耗远场: R 20 lg3774 Z
3、s4500Zs = 屏蔽体阻抗, D = 屏蔽体到源的距离(m)f = 电磁波的频率(MHz)2 D fD f Zs Zs电场: R 20 lg磁场: R 20 lgdB杨继深 2002年4月影响反射损耗的因素150 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M平面波3 108 / 2rfR(dB)r = 30 m 电场r = 1 m靠近辐射源r = 30 m磁场 r = 1 m靠近辐射源杨继深 2002年4月综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)150250平面波平面波00.1k 1k 10k 100k 1M 10M高频时高频时电磁波种类电磁波种类的影响很小的影响很小电场波电场波 r
4、= 0.5 m磁场波磁场波 r = 0.5 m屏蔽效能(dB)频率杨继深 2002年4月多次反射修正因子的计算电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正。B = 20 lg ( 1 - e -2 t / )说明:说明: B为负值,其作用是减小屏蔽效能为负值,其作用是减小屏蔽效能 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略 对于电场波,可以忽略对于电场波,可以忽略杨继深 2002年4月怎样屏蔽低频磁场?低频磁场低频磁场吸收损耗小反射损耗小高导电材料高导磁材料高导电材料杨继深 2002年4月高导磁率材料的磁旁路效果H0H1H0R
5、sR0H1R0RsSE = 1 + R0/RS杨继深 2002年4月低频磁场屏蔽产品杨继深 2002年4月磁屏蔽材料的频率特性151015坡莫合金坡莫合金 金属金属镍钢镍钢冷轧钢冷轧钢 0.01 0.1 1.0 10 100 kHzr 103杨继深 2002年4月磁导率随场强的变化磁通密度 B 磁场强度 H饱和起始磁导率最大磁导率 = B / H杨继深 2002年4月强磁场的屏蔽高导磁率材料:饱和低导磁率材料:屏效不够低导磁率材料低导磁率材料高导磁率材料杨继深 2002年4月加工的影响2040608010010 100 1k 10k跌落前跌落后杨继深 2002年4月良好电磁屏蔽的关键因素屏蔽体
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